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公开(公告)号：CN117822093A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211204368.0
申请日：2022-09-29
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种在直拉制备单晶过程中控制放肩降温的方法，该方法包括：根据晶体的预定肩型确定晶体的直径与长度的对应关系，在所述放肩过程中，实时计算功率降幅Pi；并根据Pi调整制备单晶的坩埚的实际加热功率；其中，根据结晶过程释放的潜热、结晶过冷度需求的热量、坩埚内壁与晶体中心之间的径向温度差来计算所述功率降幅Pi。本发明还提供了一种在直拉制备单晶过程中控制温度的方法、一种用于在直拉制备单晶过程中控制放肩降温的系统和一种计算机存储介质。通过上述技术方案，本发明通过结晶潜热、过冷度等自动计算功率降幅，克服了单晶晶体生长不稳定，出现较多的断线缺陷的缺陷，提供了一种便捷高效的控制放肩降温的方法。
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公开(公告)号：CN114540935B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210350407.1
申请日：2022-04-02
Applicant: 贵州师范学院
Inventor： 武汉清
Abstract: 本发明公开了一种稀土镨硼酸盐晶体材料及其制备方法，所述稀土金属硼酸盐晶体材料为Pr[B5O8(OH)]NO3·2H2O晶体，属于P21/c空间群。制备方法包括以下步骤：将硼酸、六水合硝酸镨、氧化铝和去离子水加入聚四氟乙烯内衬中混合均匀后，在260℃、自生压力条件下反应一天，随后降温至240℃继续反应天4天，获得稀土镨硼酸盐Pr[B5O8(OH)]NO3·2H2O晶体材料。本发明中的化合物是由中温水热合成出来的，合成步骤简易，获得的晶体质量较高，在空气中不潮解，不溶于水，可以由单晶衍射测试获得具体的结构，合成过程能耗较低，所采用原料易得且价格便宜。获得的稀土硼酸盐化合物具有Pr的特征发光性能。
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公开(公告)号：CN112843481B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011604234.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，涉及多晶半导体材料、智能穿戴技术领域，具体涉及一种热压光子多晶半导体的制备方法及应用。一种热压光子多晶半导体的制备方法，至少包括以下步骤：(1)将固体无机物和稀土盐类化合物混合，并进行烧制，得到烧制混合物A，将烧制混合物A转移至反应釜内反应一段时间后，进行冷却，再研磨得到粉末材料B；(2)将载体进行加热，再加入表面处理剂和粉末材料B，并进行搅拌，之后送入挤出机中进行挤出造粒，干燥，即得到热压光子多晶半导体。本发明中通过合理设置烧制温度、反应温度和反应压力，使通过本技术方案中的方法制备的热压光子多晶半导体材料成品率高，力学强度较好，可应用于智能穿戴用品中。
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公开(公告)号：CN107447254B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201710403667.X
申请日：2017-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 洪铭辉
Abstract: 一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法，包括：交替地生长一第一层和一第二层在一基板上，其中，上述第一层与上述第二层的组成不同，且上述第一层及上述第二层为多个；以及将上述第一层和上述第二层退火，形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。
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公开(公告)号：CN110404585A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910824136.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种利用水浴加热在基底(泡沫镍、钢网、钛网、钼网等)上二次生长二维纳米MOF片的方法，属于材料科学与工程技术和化学领域。本发明制备的二维纳米MOF片涉及的金属有Fe、Co、Ni、Mn、Cu、Zn等元素。首先配置相应的一定浓度的反应物溶液A，把事先清洗干净的基底浸入上述溶液中，然后在一定温度下加热数十小时得到中间产物B；把制备好的中间产物B放入管式炉中，在惰性气体的条件下加热数小时，得到中间产物C；最后再重复得到中间产物B的方法。本方法具有操作简单、效率高、应用范围广等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110167909A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780072982.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 心悦生医股份有限公司
Abstract: 本发明提供了苯甲酸钠的同素异形体形式，其X射线粉末绕射图谱于反射角2θ包含分别位于约为5.9、30.2及31.2度之位置的复数个特征峰；或者，其X射线粉末绕射图谱于反射角2θ包含分别位于约为3.7、5.9及26.6度之位置的复数个特征峰。本发明也提供用以制备苯甲酸钠同素异形体形式的方法，以及其用于治疗神经精神疾病(例如精神分裂症、精神疾病、忧郁症或阿兹海默症)及/或降低罹患该疾病之风险的用途。
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公开(公告)号：CN110158156A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910571358.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 青岛科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于结晶过程的晶种制备方法，尤其涉及一种通过多种工序联合制备晶种的方法。该方法由重结晶、固液分离、干燥、研磨、筛分、洗涤等装置组成。该发明通过联合重结晶、固液分离等工序可以实现在原料晶体不满足纯度和晶型条件下获得高质量的晶种，并通过洗涤法去除研磨筛分后晶种中的细晶，缩小晶种粒度分布，提高晶种质量，最后通过过滤、干燥获得了高质量的干晶种。本发明是一种系统完整的晶种制备方法，不仅能够去除晶种中的细晶，获得窄粒度分布的晶种，还可以降低晶种中杂质含量，提高晶种纯度和质量，有利于提高结晶产品质量，降低下游工序处理难度。
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公开(公告)号：CN109804456A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780062397.9
申请日：2017-08-23
Applicant: 克罗米斯有限公司
Inventor： 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 , 迪利普·瑞思布德 , 奥兹古·阿克塔斯 , 杰姆·巴斯切里
Abstract: 一种功率器件，包括衬底，该衬底包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层以及耦合至所述键合层的实质单晶层。所述功率器件还包括：耦合至所述实质单晶层的缓冲层以及耦合至所述缓冲层的沟道区。所述沟道区包括：第一端、第二端以及设置在所述第一端与第二端之间的中心部。所述沟道区还包括耦合至所述缓冲层的沟道区阻挡层。所述功率器件进一步包括：设置在所述沟道区的第一端的源极接触、设置在所述沟道区的第二端的漏极接触、以及耦合至所述沟道区的栅极接触。
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公开(公告)号：CN103160925A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110405023.7
申请日：2011-12-08
Applicant: 上海东沈电子科技有限公司
Inventor： 吴月梅
Abstract: 新配方的软水吸收纳盐晶体，因其配方的独特性，所以可以吸收软水。其配方如下：氯化铜 9％、硝酸铜晶体 10％、绿矾 20％、硅酸盐 5％、钨酸盐 5％、五磷酸钱 6％、五磷酸 1％。
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公开(公告)号：CN102995118A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210512969.8
申请日：2012-12-05
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 一种D形光纤胶体晶体微纳结构的制备方法，涉及光电子技术领域，先是在D形光纤的平面上制备微纳结构，然后再利用胶体微粒在微纳结构内制备胶体晶体，具体过程包括涂胶、曝光、刻蚀、去胶以及在静电场作用和提拉作用结合下将胶体微粒组装到微纳结构中。本发明最终在D形光纤平面上制备了胶体晶体微纳结构，使D形光纤的消逝场同时接受微纳结构和胶体晶体光子带隙的调制，实现了对D形光纤内光场更强和可操控的调制，从而可以使D形光纤广泛应用在光信息处理，光学传感及光学集成等领域。
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