公开(公告)号：CN119947293A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411882122.8

申请日：2024-12-19

Applicant: 国家电投集团青海光伏产业创新中心有限公司 ,  青海黄河上游水电开发有限责任公司 ,  青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司

Inventor： 郑璐 ,  陈娥 ,  付少杰 ,  韩金豆 ,  何银凤 ,  张占升 ,  牛力同 ,  李慧 ,  洛桑

IPC: H10F71/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种双玻光伏组件的激光扫描分层方法，其包括：将双玻光伏组件固定于激光扫描台；对双玻光伏组件进行扫描定位，以确定所述双玻光伏组件的硅片电池区和无硅片电池区；根据确定的所述硅片电池区和所述无硅片电池区设定激光扫描路径和激光扫描工艺；根据设定的激光扫描路径和激光扫描工艺对所述双玻光伏组件进行扫描，以实现所述双玻光伏组件的玻璃面板、胶膜层和硅片的分层。本发明通过激光扫描技术实现对光伏组件的快速、精确分层，从而简化回收工艺，提高回收效率和质量。同时，本发明还在降低回收过程中的安全隐患和环境污染的同时，提高了资源利用率，并增强回收工艺的灵活性和可扩展性，以适应不同类型和规格的光伏组件回收需求。

公开(公告)号：CN119943733A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510127438.4

申请日：2025-02-05

Applicant: 三河建华高科有限责任公司

Inventor： 杨健 ,  张宏伟 ,  罗洋

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/677 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及半导体设备领域，具体公开了一种半导体设备用定位装置，包括封装测试台机构和转移机构：所述封装测试台机构包括封装测试台组件，所述封装测试台组件的上侧安装有夹持组件和吸附组件；所述转移机构包括安装于封装测试台组件外侧的转移组件，所述转移组件上还安装有驱动组件；所述夹持组件包括第一夹持件和第二夹持件；本发明通过转移组件和驱动组件的协同工作，本装置能够自动地将异常晶圆从封装测试台上移除，并引导其滑动到指定位置进行报废处理，这种设计不仅简化了晶圆报废的流程，还降低了人工操作的难度和成本；通过夹持组件和吸附组件的双重作用，晶圆在封装测试过程中得到了稳定而可靠的固定。

公开(公告)号：CN119943697A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510053807.X

申请日：2025-01-14

Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司

Inventor： 陈苗 ,  彭峰 ,  宁威 ,  文浩然

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 本申请提供一种监控半导体器件被残留的卤族元素污染的方法，先形成PN结导通回路、与PN结导通回路一端相连的第一导电插塞、中间金属层和第三导电插塞、以及与PN结导通回路另一端相连的第二导电插塞、中间金属层和第四导电插塞，随后获取半导体器件的缺陷图，最后根据缺陷图，获取接触孔的接触情况和填充情况，并根据接触情况和填充情况来诊断是否存在卤族元素残留，是否对半导体器件造成污染。本申请通过PN结导通回路与接触孔中的导电插塞配合，根据缺陷图诊断接触孔的接触情况和填充情况，从而实时、有效地监控卤族元素的残留情况，这样可以对芯片质量作出直接反应，对卤族元素微量变化做出敏锐反馈。

公开(公告)号：CN119943693A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411950271.3

申请日：2024-12-26

Applicant: 杭州长川科技股份有限公司

Inventor： 翁水才 ,  陈奇 ,  程海宾 ,  邱成 ,  王鼎伟 ,  严邦民 ,  何冰

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G01R31/26 ,  G01N21/88

Abstract: 本申请涉及半导体测试技术领域，提供了一种半导体自动测试设备。半导体自动测试设备至少包括上料机台模块、测试机台模块和收料机台模块，各个模块共同限定出流转路径；各个模块互相独立，且各个模块均包括安装基板及设于对应安装基板的操作部件，各个安装基板沿流转路径方向可拆卸连接；半导体自动测试设备还包括移送料梭，沿流转路径方向，至少部分任意相邻的两个安装基板之间可拆卸连接有一移送料梭，各个移送料梭至少用于将对应上游的模块上的半导体搬运至下游的模块。本申请提供的半导体自动测试设备在保证测试效率和测试精度的同时，在工艺流程变化时便于及时调整，整体改造成本降低，耗时也短。

公开(公告)号：CN119935891A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510424060.4

申请日：2025-04-07

Applicant: 深圳镭赫技术有限公司

Inventor： 何小凤 ,  李青格乐 ,  飞利浦·肖恩·加斯塔尔多

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/95 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开涉及一种监测系统及其监测方法、光学系统及其工作方法，该监测系统包括第一光学组件、第二光学组件和调节模块。调节模块用于同步调节第一反射镜和第二反射镜相对样品表面的法平面的旋转角度，以使样品沿垂直于表面高度不同且沿样品表面相同的点反射的第一照明光形成第一信号光被第一探测器的同一位置采集。提高样品表面的检测精度。

公开(公告)号：CN115698686B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202180037081.0

申请日：2021-03-03

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 黑纸基 ,  森敬一朗

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种利用激光表面检查装置评价半导体晶片的半导体晶片的评价方法。上述半导体晶片在半导体基板上具有覆盖层，上述激光表面检查装置具有：第一入射系统；第二入射系统，以比第一入射系统入射到被照射面的光的入射角高的角度的入射角使光入射到被照射面；第一受光系统；第二受光系统；以及第三受光系统。上述三种受光系统的选自由接收从被照射面放射的光的受光角和偏振选择性构成的组中的一个以上各不相同。包括在上述覆盖层的表面通过如下方式进行上述半导体晶片的评价：基于包含三种低入射角测定结果和至少一种高入射角测定结果的多个测定结果，将选自由存在于上述覆盖层的表面的附着物和非附着凸状缺陷构成的组中的缺陷种类检测为亮点，上述三种低入射角测定结果是通过由上述三种受光系统分别接收通过从第一入射系统入射的光在上述表面反射或散射而放射的放射光而得到的，上述至少一种高入射角测定结果是通过由上述三种受光系统的至少一种接收通过从第二入射系统入射的光在上述表面反射或散射而放射的放射光而得到的。

公开(公告)号：CN119916177A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411988456.3

申请日：2021-10-05

Applicant: 雅赫测试系统公司

Inventor： G·L·埃里克森二世 ,  J·约万诺维奇

IPC: G01R31/28 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请公开了可移动封装、测试装置以及测试方法。可移动封装包括：可移动封装体，其包括用于将基板保持在其间的第一部件和第二部件，所述基板承载微电子电路并具有连接到所述微电子电路的多个基板端子；多个可移动封装触头，所述触头在所述第二部件上，所述可移动封装触头与所述基板端子匹配以与所述基板端子接触；固定系统；以及第一电接口，所述第一电接口在所述可移动封装体上并且连接到所述可移动封装触头，用于当所述可移动封装体由框架可移除地保持时连接到所述框架上的第二电接口。

公开(公告)号：CN119049991B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411061348.1

申请日：2024-08-05

Applicant: 深圳市凯姆半导体科技有限公司

Inventor： 罗迪恬 ,  杨科

IPC: H01L21/66 ,  B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K1/008 ,  G06V20/70 ,  G06V10/25 ,  G06V10/44 ,  G06V10/52 ,  G06V10/42 ,  G06V10/80 ,  G06V10/764 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/045 ,  G08B21/24 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  B23K101/40 ,  G06N3/048

Abstract: 本申请涉及一种用于半导体封装的自动化控制系统及方法。该方法包括：采用基于深度学习的图像处理技术对器件组件焊接状态图像进行图像特征分析，分别提取出器件组件焊接区域的局部边界细节特征和全局结构语义特征，并利用组件焊接状态边界特征对其全局结构语义特征进行辅助调整，以综合多模态的互补信息，增强焊接区域的特征表达，从而智能判断组件焊接质量是否合格，并针对不合格产品生成预警提示。这样，可以实现对半导体封装过程中焊接质量的实时、自动化检测，有效降低因焊接不良导致的器件失效风险，提高半导体产品的质量和生产效率。

公开(公告)号：CN115424953B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202211150534.3

申请日：2022-09-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 耿文浩 ,  王蓉 ,  邵秦秦 ,  皮孝东 ,  杨德仁

IPC: H01L21/66 ,  G01B21/08

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置，通过将包含截面的宽禁带半导体晶圆片结构检测片作为工作电极连接作为对电极的金属催化剂，并浸泡入刻蚀液，再采用特定波长的入射光照射到截面上，在所述截面上产生光生空穴‑电子对；再通过腐蚀液对所述非损伤层侧面区域进行刻蚀，而所述损伤层侧面区域不发生刻蚀，从而在刻蚀完成后根据所述截面的形态得到所述损伤层的厚度；本发明通过直接观测反应后晶圆片截面的形态，便可精确定量出宽禁带半导体晶圆片在不同加工过程中产生的损伤层厚度，从而降低宽禁带半导体材料的加工损失及加工成本。

公开(公告)号：CN114068342B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202110875091.3

申请日：2021-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 秋山直树 ,  中山博之

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种提高了处理能力的检查装置的控制方法以及检查装置。该检查装置包括:载置台,其用于载置具有多个被检查体的基板,并且形成有多个分区；以及加热部,其能够针对各个上述分区进行升温控制,该检查装置的控制方法具有如下工序:在对多个上述被检查体中的检查对象的第一被检查体进行检查时,通过上述加热部使与上述第一被检查体对应的分区、以及与下一个检查对象的第二被检查体对应的分区升温。