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公开(公告)号：CN111837247B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201980018383.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 索泰克公司
Inventor： 佛雷德里克·阿利伯特 , 克里斯泰勒·维蒂佐
IPC: H10N30/097 , H10N30/00 , H10N30/079 , H03H3/007 , H03H9/72
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(10)，所述混合结构(10)包括：压电材料的有用层(1)，该有用层(1)被连结至具有比有用层(1)低的热膨胀系数的支撑基板(2)；以及中间层(3)，该中间层(3)被布置在有用层(1)与支撑基板(2)之间。中间层是由至少第一材料和第二材料的粉末形成的烧结复合层(3)，该第二材料与该第一材料不同。
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公开(公告)号：CN119906382A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411475657.3
申请日：2024-10-22
Applicant: 三安日本科技株式会社
Abstract: 本发明公开了一种具备弹性波器件的模块及其制造方法，其中所述模块包括：模块基板，所述模块基板安装有两个或两个以上的电子器件，且所述两个以上的电子器件中的一部分成为作为弹性波器件功能的器件芯片；第一密封部，设置在所述模块基板之上，密封作为弹性波器件功能的器件芯片以外的所述电子器件；第二密封部，设置在所述模块基板之上，密封作为弹性波器件功能的器件芯片；所述第二密封部包含具有绝缘性且导热性的热固性树脂；所述第一密封部包含具有绝缘性且热固性的树脂，所述第一密封部的树脂在固化前流动性高于所述第二密封部的树脂。
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公开(公告)号：CN119727638A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411349954.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 松泽勇介
IPC: H03H3/007
Abstract: 振动器件的制造方法，能够提高可靠性。具有如下工序：准备基座(10A)，其中，该基座(10A)包含：半导体基板(11)，其具有第一面(11a)和第二面(11b)，在第一面(11a)形成有电路元件(11a1)；和第一绝缘层(12)，其配置于半导体基板(11)的第一面(11a)，并覆盖电路元件(11a1)；在第一绝缘层(12)的与基座(10A)相反侧的第五面(10Aa)堆积绝缘物而形成第二绝缘层(13)；对第二绝缘层(13)的与基座(10A)相反侧的第三面(10a)的至少一部分进行研磨而使其平坦化；在第二绝缘层(13)的被研磨后的第三面(10a)上形成安装电极(16)；以及将振动元件(40)与安装电极(16)接合。
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公开(公告)号：CN111245385B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201911227573.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 天津大学 , 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片封装模块及封装方法，芯片封装模块包括：芯片；封装基板，与所述芯片对置且两者之间形成空腔；第一封装层，将所述芯片封装在封装基板上；第二封装层，覆盖所述第一封装层的外侧设置，其中：第一封装层包括沿封装基板横向向外延伸的延伸部，所述延伸部的下侧覆盖所述封装基板的上侧，所述第二封装层的端部与所述延伸部的上侧形成面接触。本发明还公开了一种具有该芯片封装模块的电子装置。
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公开(公告)号：CN112020828B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980024919.5
申请日：2019-03-28
Applicant: RF360新加坡私人有限公司
Inventor： A·施马朱
Abstract: 基于包括至少一个压电层的衬底(SU，SU1，SU2)提出了一种用于电子设备的封装。设备结构围合在施加在第一表面(SI)上的薄膜封装的一体形成的封装层结构(PK)的腔中。第一接触垫(PI)布置在衬底的第一表面上并且电连接到设备结构。第二接触垫(P2)布置在衬底的与第一表面(SI)相对的第二表面(S2)上。引导通孔(V)穿过衬底并且使之电互连第一接触垫和第二接触垫。封装可以彼此堆叠，并且经由不同种类的两个垫彼此连接。第一衬底(SU1)经由在其第二表面上的其第二垫(P2)借助于连接装置(CM)连接到第二衬底(SU2)的第一垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112865740B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011642670.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于模态重分布的MEMS谐振器，包括：衬底；支撑结构，一端固定在所述衬底上；谐振单元，设有调整装置，所述谐振单元与支撑结构的另一端相连；电极，与所述谐振单元电连接，所述电极设置在所述谐振单元的侧面、上表面和/或下表面。本公开针对无线通信系统的不同应用需求，其结构可灵活设置，进而实现了对其性能的优化，有效摆脱了现有光刻精度工艺水平的限制，该MEMS谐振器具备尺寸小、易加工、节省空间等优势，有利于实现集成化、微型化，推动MEMS谐振器在智能传感领域的高端应用。
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公开(公告)号：CN114128139B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980098511.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 常州承芯半导体有限公司
Inventor： 刘宇浩
Abstract: 一种体声波谐振装置包括：第一层，第一层包括位于第一侧的空腔；第一电极层，位于空腔内；第二层，位于第一侧，位于第一电极层上，第二层为平层，覆盖空腔；以及第二电极层，位于第一侧，位于第二层上，其中，第一电极层包括至少两个第一电极条或第二电极层包括至少两个第二电极条。本发明实施例提升谐振区和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，压电层可以不包括明显转向的晶粒，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及Q值。此外，在形成电极层时，可通过调整至少两个第一电极条或至少两个第二电极条的宽度或相邻的两个第一电极条或两个第二电极条的间隔距离，控制谐振装置的工作频率。
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公开(公告)号：CN119232103A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411342452.8
申请日：2024-09-25
Applicant: 深圳市比创达电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高性能耦合滤波器及制备方法，涉及滤波器技术领域，制备方法包括提供一衬底；在衬底上沉积绝缘层，然后在衬底正面、背面分别加工凹槽组，凹槽组包括多个凹槽，并在衬底一端加工通孔，通孔两端分别贯穿衬底正面与衬底背面；通过电镀工艺分别在凹槽内形成金属填充层、在通孔内形成金属连接柱、在衬底正面及背面形成金属电镀层；通过化学机械抛光工艺去除金属电镀层；在衬底正面与衬底背面分别形成介质钝化层。本发明中，将线圈通过衬底背面重布线技术和衬底凹槽技术结合，实现高深宽比的走线，同时实现较窄的线距，增强线圈的耦合和降低走线的损耗，使滤波器实现更佳的性能。
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公开(公告)号：CN119110666A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411078574.0
申请日：2024-08-07
Applicant: 上海师范大学
IPC: H10N30/086 , H10N30/082 , B81C1/00 , H03H3/00 , H03H3/007
Abstract: 本发明涉及压电薄膜晶圆的制备，属于MEMS领域。一种大尺寸压电薄膜晶圆的减薄方法，其特征在于包括如下步骤：首先，通过衬底图形化工艺，在衬底上制备出一个高度略大于或者等于薄膜晶圆目标厚度的限位凹槽，然后将压电晶圆键合在所述限位凹槽内，最后进行化学研磨，当压电晶圆薄膜被研磨到与衬底上所述限位凹槽的周边高度齐平，从而精准控制压电薄膜晶圆的减薄。本发明的方法能够精准控制压电晶圆薄膜的厚度，解决现在减薄工艺中出现的无法精准控制厚度，导致开裂以及破损的问题。本发明还提出了基于本减薄方法的压电薄膜晶圆以及基于本方法制备多种滤波器和谐振器的工艺，新工艺降低了对材料的限制，提高器件的性能，具有较高的应用前景。
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公开(公告)号：CN119051621A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410983001.6
申请日：2024-07-22
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电声波谐振器，属于射频微机电系统领域。包括：支撑台，其中心形成空腔；谐振体，由谐振基底上设置压电薄膜，所述压电薄膜上设有外接输入电极和外接输出电极组成，悬置于所述空腔上方，其上下表面为蝴蝶形结构和鼓形结构相结合的结构；所述外接输入电极贴合压电薄膜、所述外接输出电极贴合压电薄膜分别从所述蝴蝶形结构中的两个翅膀凹陷处向所述支撑台非空腔部分的方向延伸，直至贴合于所述支撑台非空腔部分的上表面，使得所述谐振器悬于所述支撑台的空腔之上。本发明通过设置谐振体形状为蝴蝶形和鼓形结构相结合，相比现有技术中长方体结构能够使谐振体内存储更多的能量，减小谐振器的能量损耗，提高谐振器的品质因数。
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