公开(公告)号：US5693548A

公开(公告)日：1997-12-02

申请号：US359197

申请日：1994-12-19

Applicant: Jin-Hee Lee ,  Sang-Soo Choi ,  Hyung-Sup Youn ,  Chul-Soon Park ,  Hyung-Jun Yoo ,  Hyung-Moo Park

Inventor： Jin-Hee Lee ,  Sang-Soo Choi ,  Hyung-Sup Youn ,  Chul-Soon Park ,  Hyung-Jun Yoo ,  Hyung-Moo Park

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66462 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2059 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/28587 ,  Y10S148/10 ,  Y10S148/14 ,  Y10S438/949

Abstract: A method for making a T-shaped gate of a field effect transistor is disclosed. The method includes the steps of sequentially depositing first and second photoresist layers on a semiconductor substrate and performing an exposure using electron beams having different energy, one of the electron beams having a first energy to lightly expose only the second photoresist layer and the other of the electron beams having a second energy to lightly expose all of the first and second layers. The invention reduces gate resistance and parasitic capacitance of the T-shaped gate.

Abstract translation: 公开了一种用于制造场效应晶体管的T形栅极的方法。 该方法包括以下步骤：在半导体衬底上依次沉积第一和第二光致抗蚀剂层并使用具有不同能量的电子束进行曝光，其中一个电子束具有第一能量，以仅仅暴露第二光致抗蚀剂层，另一个 电子束具有第二能量以轻微地暴露所有第一层和第二层。 本发明降低了T形栅极的栅极电阻和寄生电容。

公开(公告)号：USD858176S1

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：US29628620

申请日：2017-12-06

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD833197S1

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：US29586846

申请日：2016-12-07

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD826624S1

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：US29558066

申请日：2016-03-15

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD809850S1

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：US29564942

申请日：2016-05-17

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD807689S1

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：US29586864

申请日：2016-12-07

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD807688S1

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：US29586863

申请日：2016-12-07

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD807685S1

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：US29586853

申请日：2016-12-07

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD807683S1

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：US29564932

申请日：2016-05-17

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee

公开(公告)号：USD807682S1

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：US29564931

申请日：2016-05-17

Applicant: Jin Hee Lee

Designer： Jin Hee Lee