Invention Grant
CN101888059B 激光器二极管及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 激光器二极管及其制造方法
- Patent Title (English): Laser diode and method of manufacturing the same
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Application No.: CN201010179947.5Application Date: 2010-05-10
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Publication No.: CN101888059BPublication Date: 2013-01-02
- Inventor: 川西秀和 , 泽畠淳二
- Applicant: 索尼公司
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 索尼公司
- Current Assignee: 索尼公司
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 彭久云
- Priority: 118900/09 2009.05.15 JP
- Main IPC: H01S5/22
- IPC: H01S5/22
Abstract:
本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。
Public/Granted literature
- CN101888059A 激光器二极管及其制造方法 Public/Granted day:2010-11-17
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