Invention Grant
CN102569263B 半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置
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Application No.: CN201110370054.3Application Date: 2011-11-18
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Publication No.: CN102569263BPublication Date: 2016-01-20
- Inventor: 宇圆田大介 , 松村健 , 井上刚一 , 盛田美希
- Applicant: 日东电工株式会社
- Applicant Address: 日本大阪
- Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 王海川; 穆德骏
- Priority: 2010-258074 2010.11.18 JP
- Main IPC: H01L23/552
- IPC: H01L23/552
Abstract:
本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。
Public/Granted literature
- CN102569263A 半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置 Public/Granted day:2012-07-11
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IPC分类:
