Invention Grant
- Patent Title: 浅沟槽隔离结构及其形成方法
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Application No.: CN201310022495.3Application Date: 2013-01-22
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Publication No.: CN103943621BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 刘恩铨 , 曹博昭 , 梁家瑞 , 吴家荣
- Applicant: 联华电子股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区
- Assignee: 联华电子股份有限公司
- Current Assignee: 联华电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 陈小雯
- Main IPC: H01L27/02
- IPC: H01L27/02 ; H01L21/762

Abstract:
本发明公开一种浅沟槽隔离结构及其形成方法,其浅沟槽隔离结构包含一上绝缘部与一下绝缘部,该下绝缘部包含一第一绝缘体以及位于该第一绝缘体周围的一绝缘层,该上绝缘部包含一第二绝缘体以及位于该第二绝缘体周围的一缓冲层,部分的该缓冲层中介于该第一绝缘体与该第二绝缘体之间,且该缓冲层的外周壁与该第一绝缘体的周壁齐平。
Public/Granted literature
- CN103943621A 浅沟槽隔离结构及其形成方法 Public/Granted day:2014-07-23
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