Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件和半导体器件制造方法
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Application No.: CN201380028421.9Application Date: 2013-05-16
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Publication No.: CN104350596BPublication Date: 2017-08-08
- Inventor: 初川聪
- Applicant: 住友电气工业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府大阪市
- Assignee: 住友电气工业株式会社
- Current Assignee: 住友电气工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府大阪市
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 韩峰; 孙志湧
- Priority: 2012-145086 20120628 JP
- International Application: PCT/JP2013/063708 2013.05.16
- International Announcement: WO2014/002637 JA 2014.01.03
- Date entered country: 2014-11-28
- Main IPC: H01L25/07
- IPC: H01L25/07 ; H01L25/18

Abstract:
提供一种允许多个半导体芯片让相同的电流流过的半导体器件及其制造方法。根据一个实施例的半导体器件(1)包括:多个第一半导体芯片(101至10N)和电路板(30),被安装有多个第一半导体芯片,具有被电气地连接到多个第一半导体芯片的第一和第二布线导体(32A,32B)。多个第一半导体芯片与第一和第二布线导体共同被并联地连接以便构造第一并联电路(60)。根据多个第一半导体芯片的导通电阻多个第一半导体芯片被布置在电路板上,以便相同的电流流过多个第一半导体芯片。
Public/Granted literature
- CN104350596A 半导体器件和半导体器件制造方法 Public/Granted day:2015-02-11
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IPC分类: