Invention Grant
- Patent Title: 覆晶式LED芯片
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Application No.: CN201310416662.2Application Date: 2013-09-12
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Publication No.: CN104465931BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 吴裕朝 , 刘艳
- Applicant: 刘艳
- Applicant Address: 广东省东莞市虎门镇威远北面秀边新区路南1巷8号
- Assignee: 刘艳
- Current Assignee: 刘艳
- Current Assignee Address: 广东省东莞市虎门镇威远北面秀边新区路南1巷8号
- Agency: 北京格罗巴尔知识产权代理事务所
- Agent 方志炜
- Main IPC: H01L33/38
- IPC: H01L33/38 ; H01L33/46 ; H01L33/62

Abstract:
本发明公开了一种覆晶式LED芯片,该芯片包括:基板;以及沿水平方向依次设置在所述基板的正面上的正电极、隔离区、和负电极,其中,所述水平方向为与所述基板的正面平行的方向,所述隔离区在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正电极和所述负电极在所述基板的正面上的垂直投影之间,所述隔离区在所述水平方向上的中心线与所述覆晶式LED芯片的一条对角线在所述基板的正面上的垂直投影相互重叠。根据本发明实施例的覆晶式LED芯片可以使得正电极和负电极间的距离最长,在使用传统LED自动固晶机生产时可以实现最佳的焊接效果,从而可以避免在覆晶式LED封装时正电极和负电极的相互导通,提高了覆晶式LED的封装良率。
Public/Granted literature
- CN104465931A 覆晶式LED芯片 Public/Granted day:2015-03-25
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IPC分类: