IGBT负阻问题的改善方法
Abstract:
本发明公开了一种IGBT负阻问题的改善方法,包括步骤:选择衬底材料并进行背面减薄。进行背面第一次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行热退火。完成IGBT的正面图形工艺。对衬底背面进行湿法腐蚀。进行背面第二次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行背面P型重掺杂离子注入形成P型注入层。进行激光退火激活。形成背面金属层。本发明能形成较厚的背面场终止层并能消除IGBT的负阻效应、提高产品的可靠性,能够现有半导体工艺兼容、工艺成本低。
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