Invention Publication
- Patent Title: IGBT负阻问题的改善方法
- Patent Title (English): Method for improving negative resistance problem of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
-
Application No.: CN201410307058.0Application Date: 2014-06-30
-
Publication No.: CN104576367APublication Date: 2015-04-29
- Inventor: 马彪
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 郭四华
- Main IPC: H01L21/331
- IPC: H01L21/331 ; H01L21/265

Abstract:
本发明公开了一种IGBT负阻问题的改善方法,包括步骤:选择衬底材料并进行背面减薄。进行背面第一次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行热退火。完成IGBT的正面图形工艺。对衬底背面进行湿法腐蚀。进行背面第二次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行背面P型重掺杂离子注入形成P型注入层。进行激光退火激活。形成背面金属层。本发明能形成较厚的背面场终止层并能消除IGBT的负阻效应、提高产品的可靠性,能够现有半导体工艺兼容、工艺成本低。
Public/Granted literature
- CN104576367B IGBT负阻问题的改善方法 Public/Granted day:2019-08-13
Information query
IPC分类: