Invention Grant
- Patent Title: 光生伏打元件及其制造方法
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Application No.: CN201380043653.1Application Date: 2013-08-27
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Publication No.: CN104584237BPublication Date: 2017-03-08
- Inventor: 绵引达郎 , 桧座秀一 , 佐藤刚彦
- Applicant: 三菱电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee: 隆基绿能科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 金春实
- Priority: 2012-189220 2012.08.29 JP
- International Application: PCT/JP2013/072899 2013.08.27
- International Announcement: WO2014/034677 JA 2014.03.06
- Date entered country: 2015-02-16
- Main IPC: H01L31/0747
- IPC: H01L31/0747
Abstract:
在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)
Public/Granted literature
- CN104584237A 光生伏打元件及其制造方法 Public/Granted day:2015-04-29
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IPC分类:
