Invention Publication
- Patent Title: 用于控制非易失性存储器的写速度的系统和方法
- Patent Title (English): System and method for controlling write speed of nonvolatile memory device
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Application No.: CN201410670360.2Application Date: 2014-11-20
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Publication No.: CN104657295APublication Date: 2015-05-27
- Inventor: 金贤柱 , 李东起 , 朱原撤 , 边炯均 , 尹松虎
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道水原市
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道水原市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 王兆赓; 姜长星
- Priority: 10-2013-0142286 2013.11.21 KR
- Main IPC: G06F13/16
- IPC: G06F13/16 ; G06F3/06

Abstract:
公开了用于控制非易失性存储器的写速度的系统和方法。提供一种系统,包括:具有多个下载速度的非易失性存储器;连接到非易失性存储器的计算装置,其中,非易失性存储器在计算装置的控制下根据非易失性存储器的下载环境被设置到所述多个下载速度之一。
Public/Granted literature
- CN104657295B 用于控制非易失性存储器的写速度的系统和方法 Public/Granted day:2020-04-07
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