半导体感测装置

Invention Grant

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Patent Title: 半导体感测装置
Application No.: CN201310645879.0

Application Date: 2013-12-04
Publication No.: CN104701329B

Publication Date: 2019-10-11
Inventor: 徐健斌 , 余文正
Applicant: 联华电子股份有限公司
Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区
Assignee: 联华电子股份有限公司
Current Assignee: 联华电子股份有限公司
Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 陈小雯
Main IPC: H01L27/146
IPC: H01L27/146

Abstract:

本发明公开一种半导体感测装置。半导体感测装置包括多个像素以及一相位光栅结构(phase grating structure)。相位光栅结构设置于该些像素上，相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodically arranged patterns)。

Abstract(English):

The invention discloses a semiconductor sensing device. The semiconductor sensing device comprises a plurality of pixels and a phase grating structure. The phase grating structure is arranged on the pixels, and the phase grating structure is provided with a plurality of periodically arranged patterns.

Public/Granted literature

CN104701329A 半导体感测装置 Public/Granted day:2015-06-10

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/14	.包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L31/14；光导与光电元件的耦合入G02B6/42）
H01L27/144	..由辐射控制的器件
H01L27/146	...图像结构