结晶性层叠结构体，半导体装置

Invention Publication

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Patent Title: 结晶性层叠结构体，半导体装置
Patent Title (English): Crystalline multilayer structure and semiconductor device
Application No.: CN201510145934.9

Application Date: 2015-03-30
Publication No.: CN104952927A

Publication Date: 2015-09-30
Inventor: 人罗俊实 , 织田真也
Applicant: FLOSFIA株式会社
Applicant Address: 日本京都府京都市西京区御陵大原1番36号京大桂创业大厦北馆
Assignee: FLOSFIA株式会社
Current Assignee: 株式会社FLOSFIA
Current Assignee Address: 日本京都府京都市西京区御陵大原1番36号京大桂创业大厦北馆
Agency: 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司
Agent 温青玲
Priority: 2014-072780 2014.03.31 JP
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/24 ; H01L29/04 ; H01L21/02 ; H01L21/34

Abstract:

本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体。该结晶性层叠结构体，具备底层基板，以及直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；其中，所述结晶性氧化物薄膜的表面粗糙度Ra是0.1μm以下。

Abstract(English):

Provided is a crystalline multilayer structure having good semiconductor properties. The crystalline multilayer structure includes a base substrate and a corundum-structured crystalline oxide semiconductor thin film disposed directly on the base substrate or with another layer therebetween. The crystalline oxide semiconductor thin film is 0.1 [mu]m or less in a surface roughness (Ra).

Public/Granted literature

CN104952927B 结晶性层叠结构体，半导体装置 Public/Granted day:2019-08-13

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Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的