有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板
Abstract:
本发明涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极,源极和漏极上设置有沟道层,沟道层中形成有使源极和漏极至少部分露出的沟道,沟道中填充有有机半导体层,有机半导体层与源极和漏极连接,有机半导体层上形成有图案。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性,因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中,其有机半导体层的厚度会更加均匀,而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列,也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好,因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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