Invention Grant
- Patent Title: 半导体存储装置
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Application No.: CN201510555667.2Application Date: 2015-09-02
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Publication No.: CN105405464BPublication Date: 2019-08-02
- Inventor: 白川政信 , 二山拓也 , 阿部健一
- Applicant: 株式会社东芝
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 张世俊
- Priority: 2014-180577 2014.09.04 JP
- Main IPC: G11C16/10
- IPC: G11C16/10 ; G11C16/26 ; G11C16/14 ; G11C16/06

Abstract:
本发明的实施方式提供一种数据的可靠性更高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(100)包括存储器单元阵列(111)、多条字线、以及控制电路(120)。存储器单元阵列(111)具备多个存储器串(114),且多个存储器串(114)的各个具有串联连接的多个存储器单元。多条字线共通连接在多个存储器串(114)。控制电路(120)对包含连接在多条字线的各者的多个存储器单元的页面控制写入动作及读出动作。控制电路(120)对在存储器串(114)流通的单元电流进行测定,且基于单元电流的测定结果修正对字线所施加的写入电压。
Public/Granted literature
- CN105405464A 半导体存储装置 Public/Granted day:2016-03-16
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