Invention Publication
- Patent Title: 半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法
- Patent Title (English): Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module
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Application No.: CN201510564791.5Application Date: 2015-09-07
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Publication No.: CN105609477APublication Date: 2016-05-25
- Inventor: A·赫恩 , G·伯格霍夫
- Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
- Applicant Address: 德国诺伊比贝尔格
- Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 德国诺伊比贝尔格
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 郑立柱
- Priority: 102014115847.4 2014.10.30 DE
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L21/52 ; H01L21/60

Abstract:
本发明的一方面涉及一种功率半导体模块。其具有模块壳体(6)、以及具有介电的绝缘载体(20)和上金属化层(21)的电路载体(2),该上金属化层被施加在介电的绝缘载体(20)的上侧(20t)上。半导体构件(1)被设置在电路载体(2)上。此外,功率半导体模块具有导电的连接块(5),其与电路载体(2)和/或半导体构件(1)固定地和导电地相连接并且具有螺纹(50),该螺纹从模块壳体(6)的外侧是可达到的。
Public/Granted literature
- CN105609477B 用于制造功率半导体模块的方法 Public/Granted day:2019-10-11
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IPC分类: