Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE
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Application No.: CN201510876267.1Application Date: 2015-12-03
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Publication No.: CN105679728APublication Date: 2016-06-15
- Inventor: 御田村和宏 , 板东晃司 , 佐藤幸弘 , 金泽孝光
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 金春实
- Priority: 2014-245136 2014.12.03 JP
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L27/082

Abstract:
本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的放热特性。例如,半导体装置(PKG1)具有与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第2部分(P2)连接的引线(LD1A(P2))以及与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第3部分(P3)连接的引线(LD1A(P3))。并且,引线(LD1A(P2))与引线(LD1A(P3))分别具有从密封体(MR)突出的突出部分。由此,能够提高半导体装置(PKG1)的放热特性。
Public/Granted literature
- CN105679728B 半导体装置 Public/Granted day:2019-08-13
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IPC分类: