Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置
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Application No.: CN201510546433.1Application Date: 2015-08-31
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Publication No.: CN105845732BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 原琢磨 , 野津哲郎
- Applicant: 株式会社东芝
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 杨谦; 房永峰
- Priority: 2015-019163 2015.02.03 JP
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L29/739 ; H01L29/417 ; H01L29/423

Abstract:
根据一个实施方式的半导体装置,包括元件区域和包围所述元件区域的终端区域,该半导体装置还包括:具有第一导电型的第一半导体区域;具有第二导电型并被设置在所述第一半导体区域上的第二半导体区域;具有所述第一导电型并被设置在所述第二半导体区域上的第三半导体区域。第一电极与所述第一半导体区域电连接,第二电极与所述第三半导体区域电连接。第三电极和第四电极位于所述元件区域中。从所述第一电极到所述第三电极的距离比从所述第一电极到所述第四电极的距离短。
Public/Granted literature
- CN105845732A 半导体装置 Public/Granted day:2016-08-10
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IPC分类: