Invention Publication
CN105862133A 一种n型有机半导体晶体材料及其制备方法和用途
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种n型有机半导体晶体材料及其制备方法和用途
- Patent Title (English): n-type organic semiconductor crystal material and preparation method and application thereof
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Application No.: CN201510035770.4Application Date: 2015-01-23
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Publication No.: CN105862133APublication Date: 2016-08-17
- Inventor: 王伟 , 江鹏
- Applicant: 国家纳米科学中心
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北一条11号
- Assignee: 国家纳米科学中心
- Current Assignee: 国家纳米科学中心
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北一条11号
- Agency: 北京品源专利代理有限公司
- Agent 巩克栋; 杨晞
- Main IPC: C30B29/54
- IPC: C30B29/54 ; C30B29/64 ; C07D471/06 ; H01L51/00

Abstract:
本发明涉及一种分子自组装的n型有机半导体晶体材料,所述用于自组装的分子结构式选自结构式I,其中,R1为取代的烷基,取代基为烷基,取代位置是与氮原子相邻的前三个碳原子之一;或者R1为末端被二烷胺基取代的直链烷基;所述n型有机半导体晶体材料为二维有序的单层膜结构。本申请创造性地提出了苝酰亚胺衍生物自组装制备n型半导体晶体材料的方法,所述方法简单易操作;本发明提供的n型半导体晶体材料具有高的电子迁移率,制备得到的光电子器件和太阳能电池具有更高的效率。
Public/Granted literature
- CN105862133B 一种n型有机半导体晶体材料及其制备方法和用途 Public/Granted day:2021-04-13
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