• Patent Title: 具有导体回填的嵌入式熔丝
  • Patent Title (English): Embedded fuse with conductor backfill
  • Application No.: CN201480072838.X
    Application Date: 2014-02-11
  • Publication No.: CN105900232A
    Publication Date: 2016-08-24
  • Inventor: 李呈光W·M·哈菲兹C-H·简
  • Applicant: 英特尔公司
  • Applicant Address: 美国加利福尼亚
  • Assignee: 英特尔公司
  • Current Assignee: 英特尔公司
  • Current Assignee Address: 美国加利福尼亚
  • Agency: 永新专利商标代理有限公司
  • Agent 陈松涛; 韩宏
  • International Application: PCT/US2014/015815 2014.02.11
  • International Announcement: WO2015/122877 EN 2015.08.20
  • Date entered country: 2016-07-11
  • Main IPC: H01L23/62
  • IPC: H01L23/62
具有导体回填的嵌入式熔丝
Abstract:
嵌入式熔丝结构和制造技术。嵌入式熔丝可以包括具有相比于被设置在高?z部分之间的低?z部分延伸至较大z?高度的两个高?z部分的非平面导电线,该低?z部分具有降低的载流能力。被设置在低?z部分上方的电介质具有与高?z线部分成平面的顶部表面,熔丝接触部可以着落至高?z线部分。嵌入式熔丝的制造可以包括对被设置在衬底上方的第一电介质材料区进行底切。以第二电介质材料对底切区进行加衬。通过以导电材料对经加衬的底切区进行回填来形成一对电连接的熔丝端部。在有利实施例中,熔丝制造与高?K金属栅极晶体管和精密多晶硅电阻器制造流程相兼容。
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