Invention Grant
- Patent Title: 磁传感器
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Application No.: CN201610170100.8Application Date: 2016-03-23
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Publication No.: CN105988092BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 驹﨑洋亮
- Applicant: TDK株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: TDK株式会社
- Current Assignee: TDK株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 杨琦
- Priority: 2015-059394 2015.03.23 JP
- Main IPC: G01R33/09
- IPC: G01R33/09

Abstract:
磁传感器具备MR元件以及沿第1方向隔开间隔配置并协同地产生偏置磁场的2个偏置磁场产生部。各偏置磁场产生部具有在正交于第1方向的第2方向上层叠的铁磁性层和反铁磁性层。与MR元件交叉且垂直于第2方向的假想平面上,从第2方向看位于2个偏置磁场产生部之间的元件配置区域被形成。元件配置区域包含中央区域和2个端部区域。MR元件被配置为在假想平面上包含于中央区域内。
Public/Granted literature
- CN105988092A 磁传感器 Public/Granted day:2016-10-05
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