本发明提供一种半导体器件制作方法，该方法包括：步骤a：提供半导体衬底；步骤b：在所述半导体衬底上形成具有开口的绝缘层以及位于所述开口中的硅层，在所述开口区域以及所述开口区域下方的半导体衬底表层形成重掺杂区；步骤c：在所述绝缘层上形成沟道区域、栅极氧化层和栅极；步骤d：在所述栅极两侧形成源区和漏区；其中，所述源区和漏区与沟道区域形成肖特基接触。通过本发明的半导体器件制作方法，可改善器件的自热效应、漏致势垒降低效应和亚阈特性。