Invention Grant
- Patent Title: 对在半导体芯片中的环境状况的检测
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Application No.: CN201610340367.7Application Date: 2013-03-15
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Publication No.: CN106024757BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: H-J.巴特 , H.鲍迈斯特 , P.鲍姆加特纳 , P.里斯 , J.威勒达克吕格
- Applicant: 英特尔移动通信有限责任公司
- Applicant Address: 德国诺伊比贝格
- Assignee: 英特尔移动通信有限责任公司
- Current Assignee: 英特尔移动通信有限责任公司
- Current Assignee Address: 德国诺伊比贝格
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 徐红燕; 刘春元
- Priority: 61/611755 2012.03.16 US
- Main IPC: H01L23/544
- IPC: H01L23/544 ; G01L1/14

Abstract:
描述了一种可以能够可再生地测量极小电容及其变化的电容传感器和测量电路。该电容可以根据本地环境状况,比如机械应力(例如翘曲或剪应力)、机械压力、温度和/或湿度,而变化。可能所期望的是,提供集成到半导体芯片中的电容器,该电容器足够小且对精确测量预期半导体芯片所经历的状况敏感。
Public/Granted literature
- CN106024757A 对在半导体芯片中的环境状况的检测 Public/Granted day:2016-10-12
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IPC分类: