提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区，多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。