Invention Grant
- Patent Title: 半导体元件
-
Application No.: CN201610152984.4Application Date: 2012-02-01
-
Publication No.: CN106158893BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 蔡俊珑 , 黄瑞峰 , 许明芳 , 陈至扬
- Applicant: 体学生物科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号52馆520室
- Assignee: 体学生物科技股份有限公司
- Current Assignee: 体学生物科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号52馆520室
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 马雯雯; 臧建明
- Priority: 100139395 2011.10.28 TW
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146

Abstract:
本发明涉及一种半导体元件。半导体元件包括具有第一导电型杂质的基材。多接面结构光二极管,配置于基材上。具有第一导电型杂质的第一井区配置于多接面结构光二极管的磊晶层中,其中第一井区是以环状结构的形式环绕在多接面结构光二极管的外围四周。本发明的半导体元件通过在磊晶层中配置井区及掺杂区,而形成具有多接面结构的光二极管,因此具备波长分工及高灵敏度的特性,而可用以感测多波长的光。
Public/Granted literature
- CN106158893A8 半导体元件 Public/Granted day:2017-03-22
Information query
IPC分类: