Invention Publication
- Patent Title: 具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法
- Patent Title (English): Field effect transistor device having oxide thin film of component slowly-changing active layer structure, and preparation method thereof
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Application No.: CN201610754922.0Application Date: 2016-08-30
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Publication No.: CN106252394APublication Date: 2016-12-21
- Inventor: 李俊 , 张建华 , 蒋雪茵 , 张志林
- Applicant: 上海大学
- Applicant Address: 上海市宝山区上大路99号
- Assignee: 上海大学
- Current Assignee: 上海大学
- Current Assignee Address: 上海市宝山区上大路99号
- Agency: 上海上大专利事务所
- Agent 顾勇华
- Main IPC: H01L29/41
- IPC: H01L29/41 ; H01L29/417 ; H01L29/786 ; H01L21/336
Abstract:
本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。缓变结构氧化物有源层所采用结构为：ZnSnO/ZnSnO:X% HfO2/ZnSnO:Y% HfO2 其中（X
Public/Granted literature
- CN106252394B 氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法 Public/Granted day:2019-10-11
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