Invention Grant
- Patent Title: 多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法
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Application No.: CN201610576241.XApplication Date: 2016-07-19
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Publication No.: CN106433479BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 王辰伟 , 刘玉岭 , 岳昕 , 高宝红 , 牛新环
- Applicant: 河北工业大学
- Applicant Address: 天津市红桥区号丁字沽光荣道8号
- Assignee: 河北工业大学
- Current Assignee: 河北工业大学
- Current Assignee Address: 天津市红桥区号丁字沽光荣道8号
- Agency: 天津市三利专利商标代理有限公司
- Agent 杨欢
- Main IPC: C09G1/02
- IPC: C09G1/02 ; C23F3/04 ; H01L21/306

Abstract:
本发明属于化学机械抛光领域,尤其涉及一种多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法,首先配置碱性抛光液,然后在流量100‑500ml/min,温度15‑30℃、抛头转速为57‑150rpm、抛盘转速为63‑150rpm,抛光压力为6.89‑27.56kpa的工艺条件下进行抛光1‑5min;所述的碱性抛光液包括:螯合剂用量占抛光液总质量的0.1%‑1%;非离子型表面活性剂的用量为抛光液总质量的1‑5%;所述的Si02用量占抛光液总质量的1%,所述的抛光液最终的pH值为8‑12;该方法克服了现有铜布线化学机械抛光过程中存在的控制钴阻挡层表面粗糙度多采用酸性抛光液且包含氧化剂的问题。
Public/Granted literature
- CN106433479A 多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法 Public/Granted day:2017-02-22
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