Invention Publication
- Patent Title: 碳化硅半导体装置的制造方法
- Patent Title (English): Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device
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Application No.: CN201580022557.8Application Date: 2015-11-12
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Publication No.: CN106463528APublication Date: 2017-02-22
- Inventor: 栗林秀直 , 宫崎正行
- Applicant: 富士电机株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县川崎市
- Assignee: 富士电机株式会社
- Current Assignee: 富士电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县川崎市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 金玉兰; 王颖
- Priority: 2014-232711 2014.11.17 JP
- International Application: PCT/JP2015/081907 2015.11.12
- International Announcement: WO2016/080288 JA 2016.05.26
- Date entered country: 2016-10-27
- Main IPC: H01L29/739
- IPC: H01L29/739 ; H01L21/265 ; H01L21/329 ; H01L21/336 ; H01L29/12 ; H01L29/78 ; H01L29/861 ; H01L29/868

Abstract:
在正面元件结构形成后,从n-型碳化硅基板n-型碳化硅基板(11)的背面(11b)照射激光,使p型杂质活化而形成p型集电层(4)。接下来,在n-型碳化硅基板(11)的背面(11b)形成势垒金属层,并进行势垒金属层的烧结。接下来,从n-型碳化硅基板(11)的背面(11b)侧进行以比p型集电层(4)深的位置为射程(17)的质子注入(16)。接下来,通过炉退火对n-型碳化硅基板(11)整体进行加热,并通过使质子施主化来形成n+型场截止层(3)。此时,通过使残留在质子通过区(14)的无序减少来使n-型碳化硅基板(11)的晶态恢复。由此,能够稳定地避免产生电气特性不良。(11)的背面(11b)离子注入p型杂质。接下来,从
Public/Granted literature
- CN106463528B 碳化硅半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2019-10-11
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IPC分类: