Invention Grant
- Patent Title: BNT-BST-KNN反铁电储能陶瓷及其制备方法
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Application No.: CN201610821418.8Application Date: 2016-09-13
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Publication No.: CN106467395BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 曹静 , 王永锋 , 李兆 , 蔡向朝
- Applicant: 西安航空学院
- Applicant Address: 陕西省西安市莲湖区西二环259号
- Assignee: 西安航空学院
- Current Assignee: 西安灵云智谷科技有限公司
- Current Assignee Address: 710075 陕西省西安市高新区科技二路清华科技园A座405室
- Agency: 西安知诚思迈知识产权代理事务所
- Agent 麦春明
- Main IPC: H01L41/187
- IPC: H01L41/187 ; C04B35/475

Abstract:
本发明公开了一种BNT‑BST‑KNN反铁电储能陶瓷及其制备方法,属于功能陶瓷技术领域,分子式为:(1‑x)Bi1/2Na1/2TiO3‑xBa1/2Sr1/2TiO3‑0.05KNaNbO3,其中x=0.01、0.03、0.05或0.07。本发明解决了现有技术中La3+掺杂电陶瓷减小电场回滞的同时增大了材料的相变电场,B位掺杂Zr2+元素的电陶瓷的反铁电相不稳定的问题,加入Sr元素有助于扩大四方反铁电相的稳定区域,通过掺杂BaSrTiO3、KNaNbO3来改变本发明BNT‑BST‑KNN反铁电储能陶瓷的电学性能。
Public/Granted literature
- CN106467395A BNT-BST-KNN反铁电储能陶瓷及其制备方法 Public/Granted day:2017-03-01
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