Invention Grant
- Patent Title: 一种超高介电常数介电材料及其制备方法
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Application No.: CN201610955746.7Application Date: 2016-10-27
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Publication No.: CN106565234BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 高景晖 , 刘泳斌 , 王妍 , 胡兴好 , 钟力生 , 于钦学
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 北京中济纬天专利代理有限公司
- Agent 覃婧婵
- Main IPC: H01B3/12
- IPC: H01B3/12 ; C04B35/468 ; C04B35/622 ; H01G4/12
Abstract:
本发明公开了一种超高介电常数介电材料及其制备方法，该介电材料的化学式为BaTi1‑xHfxO3，其中0.03≤x≤0.15，本发明采用传统的固相合成的制备方法，得到了具有超高介电常数的介电陶瓷。本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好；主要应用于电力电容器、储能电容器和MLCC等领域。
Public/Granted literature
- CN106565234A 一种超高介电常数介电材料及其制备方法 Public/Granted day:2017-04-19
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