Invention Grant
- Patent Title: 铝膜工艺方法
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Application No.: CN201710068667.9Application Date: 2017-02-08
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Publication No.: CN106847669BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 徐鹏
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 戴广志
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L21/033

Abstract:
本发明公开了一种铝膜工艺方法,适用于厚度不低于的铝膜,去除金属膜时去掉聚合物,再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。本发明方法在金属膜剥离时去除聚合物,再用湿法刻蚀和干法刻蚀完全去除剩余的聚合物,能将聚合物去除干净,增加后续工艺腐蚀窗口。
Public/Granted literature
- CN106847669A 铝膜工艺方法 Public/Granted day:2017-06-13
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IPC分类: