Invention Publication
- Patent Title: 高击穿电压肖特基二极管及制作方法
- Patent Title (English): High-breakdown-voltage Schottky diode and making method
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Application No.: CN201710050343.2Application Date: 2017-01-23
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Publication No.: CN106876483APublication Date: 2017-06-20
- Inventor: 冯倩 , 黄璐 , 韩根全 , 李翔 , 邢翔宇 , 方立伟 , 张进成 , 郝跃
- Applicant: 西安电子科技大学
- Applicant Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Agency: 陕西电子工业专利中心
- Agent 王品华; 朱红星
- Main IPC: H01L29/872
- IPC: H01L29/872 ; H01L21/329

Abstract:
本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法,其自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8),钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)和圆形金属阳极(2),环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点,环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7),Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6),且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘,最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H+对电子的吸引作用,减小了肖特基接触边缘的电子浓度,提高了肖特基二极管的反向击穿电压。
Public/Granted literature
- CN106876483B 高击穿电压肖特基二极管及制作方法 Public/Granted day:2019-10-11
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IPC分类: