Invention Publication
- Patent Title: 一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法
- Patent Title (English): Preparation method for Te/PbTe heterojunction nanometer thin film
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Application No.: CN201710105242.0Application Date: 2017-02-26
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Publication No.: CN106935513APublication Date: 2017-07-07
- Inventor: 潘宏程 , 汤红园
- Applicant: 桂林理工大学
- Applicant Address: 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
- Assignee: 桂林理工大学
- Current Assignee: 桂林理工大学
- Current Assignee Address: 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
- Main IPC: H01L21/368
- IPC: H01L21/368 ; H01L21/38 ; H01L21/02 ; H01L21/66

Abstract:
本发明公开了一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法。利用电沉积的方法将PbTe沉积在电极表面,形成一种载体薄膜,把电极浸入0.1mol/L的NaNO3溶液中,再利用电化学方法氧化电极,最后取出电极,电极上就氧化出Te/PbTe异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程非常高效简单,且所制得的Te/PbTe异质结纳米薄膜相比PbTe纳米薄膜具有更高的光电转换效率,成本低廉,易于大规模推广生产。
Public/Granted literature
- CN106935513B 一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法 Public/Granted day:2019-08-13
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