Invention Grant
CN106992116B 制造半导体器件的方法、阵列基板和显示装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 制造半导体器件的方法、阵列基板和显示装置
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Application No.: CN201710262696.9Application Date: 2017-04-20
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Publication No.: CN106992116BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 温钰 , 胡合合
- Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
- Applicant Address: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- Assignee: 京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee: 京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- Agency: 北京律智知识产权代理有限公司
- Agent 姜怡; 王卫忠
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L29/786 ; H01L27/12

Abstract:
本公开提供了一种制造半导体器件的方法、一种阵列基板和一种显示装置。制造半导体器件的方法包括:在基板上方沉积第一氧化物半导体层,将H2O2溶液喷洒到第一氧化物半导体层上;采用紫外光照射H2O2溶液,以促进其中的H2O2分解;以及将存在于第一氧化物半导体层上的H2O2溶液烘干,并继续沉积第二氧化物半导体层。
Public/Granted literature
- CN106992116A 制造半导体器件的方法、阵列基板和显示装置 Public/Granted day:2017-07-28
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IPC分类: