一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料
Abstract:
本发明公开了一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料,电存储器件包括基底、有机物膜、电极;所述基底为3,4‑乙烯二氧噻吩的聚合物与聚苯乙烯磺酸的共混物修饰的ITO玻璃。本发明提供的四进制有机电存储器件具有低开启电压,高器件产率;本发明的修饰后的电存储器件突破了传统的二级存储,能够意想不到的实现有机四进制存储,实现了,“0”、“1”、“2”和“3”四进制数据存储,避免了通过分子合成和结构来实现有机多进制的难题,这为实现多进制提供了一个简单而又有效的策略,对于未来的存储领域具有很高的应用价值。
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