Invention Publication
- Patent Title: 一种图形化纳米介质层的制备方法及装置
- Patent Title (English): Preparation method and device of graphical nanometer dielectric layer
-
Application No.: CN201710253410.0Application Date: 2017-04-18
-
Publication No.: CN107104042APublication Date: 2017-08-29
- Inventor: 金梅花 , 胡海峰 , 贺涛
- Applicant: 国家纳米科学中心
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北一条11号
- Assignee: 国家纳米科学中心
- Current Assignee: 国家纳米科学中心
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北一条11号
- Agency: 北京路浩知识产权代理有限公司
- Agent 汤财宝
- Main IPC: H01L21/311
- IPC: H01L21/311

Abstract:
本发明提供了一种图形化纳米介质层的制备方法及装置,包括:对于图形化介质层掩膜,在预设条件下对纳米介质层进行反应离子刻蚀处理;其中,所述预设条件为使位于所述纳米介质层下的金属导电层不受刻蚀的条件。通过控制预设条件,使反应离子刻蚀机仅对不受图形化介质层掩膜保护的纳米介质层进行刻蚀,同时使金属导电层不受刻蚀,使刻蚀处理更具有针对性。通过负性光刻胶图形化介质层掩膜可进行选择性刻蚀,更容易获得可控的图形化纳米介质层。
Public/Granted literature
- CN107104042B 一种图形化纳米介质层的制备方法及装置 Public/Granted day:2019-08-13
Information query
IPC分类: