Invention Grant
- Patent Title: 光电子半导体器件及其制造方法
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Application No.: CN201580073667.7Application Date: 2015-12-01
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Publication No.: CN107112392BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 卢茨·赫佩尔 , 诺温·文马尔姆
- Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
- Applicant Address: 德国雷根斯堡
- Assignee: 欧司朗光电半导体有限公司
- Current Assignee: 欧司朗光电半导体有限公司
- Current Assignee Address: 德国雷根斯堡
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 丁永凡; 张春水
- Priority: 102015100578.6 2015.01.15 DE
- International Application: PCT/EP2015/078225 2015.12.01
- International Announcement: WO2016/113032 DE 2016.07.21
- Date entered country: 2017-07-17
- Main IPC: H01L33/38
- IPC: H01L33/38 ; H01L33/62 ; H01L33/48

Abstract:
提出一种器件,所述器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4),其中所述第一金属层设置在所述半导体本体和所述第二金属层之间。所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源层(23)。所述器件具有穿通接触部(24),所述穿通接触部延伸穿过所述第二半导体层和所述有源层,以电接触所述第一半导体层。所述第二金属层具有第一子区域(41)和通过中间空间(40)在横向上与所述第一子区域间隔开的第二子区域(42),其中所述第一子区域与所述穿通接触部电连接并且与所述器件的第一电极性相关联。在俯视图中,所述第一金属层在横向上完全地跨越所述中间空间并且与所述器件的第二电极性相关联,所述第二电极性与所述第一电极性不同。此外,提出一种用于制造这种器件的方法。
Public/Granted literature
- CN107112392A 光电子半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2017-08-29
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IPC分类: