基于电容结构的氟注入工艺稳定性测试方法
Abstract:
本发明公开了一种基于电容结构的氟注入工艺稳定性测试方法,主要解决目前监测氟注入工艺稳定性的问题。其实现方案为:首先制备氟注入电容,并测量电容的平带电压Vfb(t0);然后对电容施加时长为tk反向应力,监测并统计应力过程中该电容的欧姆电极I1(t)和栅电极的电流I2(t);最后测量施加应力后该电容的平带电压Vfb(tk‑1)和Vfb(tk),计算得到电容势垒层内离化氟离子距离栅电极的等效位置d(tk)。本发明具有测试电容易于制备、测试方法简单可靠和测试结果准确的优点,可用于提升氟注入工艺稳定性和器件的长期可靠性。
Public/Granted literature
Patent Agency Ranking
0/0