Invention Grant
- Patent Title: 基于电容结构的氟注入工艺稳定性测试方法
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Application No.: CN201710388315.1Application Date: 2017-05-27
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Publication No.: CN107180769BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 郑雪峰 , 王士辉 , 王颖哲 , 吉鹏 , 王冲 , 马晓华 , 郝跃
- Applicant: 西安电子科技大学
- Applicant Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Agency: 陕西电子工业专利中心
- Agent 王品华; 朱红星
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66

Abstract:
本发明公开了一种基于电容结构的氟注入工艺稳定性测试方法,主要解决目前监测氟注入工艺稳定性的问题。其实现方案为:首先制备氟注入电容,并测量电容的平带电压Vfb(t0);然后对电容施加时长为tk反向应力,监测并统计应力过程中该电容的欧姆电极I1(t)和栅电极的电流I2(t);最后测量施加应力后该电容的平带电压Vfb(tk‑1)和Vfb(tk),计算得到电容势垒层内离化氟离子距离栅电极的等效位置d(tk)。本发明具有测试电容易于制备、测试方法简单可靠和测试结果准确的优点,可用于提升氟注入工艺稳定性和器件的长期可靠性。
Public/Granted literature
- CN107180769A 基于电容结构的氟注入工艺稳定性测试方法 Public/Granted day:2017-09-19
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