Invention Grant
- Patent Title: 一种改善边缘形貌的成型方法
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Application No.: CN201710403482.9Application Date: 2017-06-01
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Publication No.: CN107195553BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 吕娇 , 何志宏 , 林正忠
- Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
- Assignee: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
- Current Assignee: 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
- Agency: 上海光华专利事务所
- Agent 余明伟
- Main IPC: H01L21/56
- IPC: H01L21/56

Abstract:
本发明提供一种改善边缘形貌的成型方法,包括以下步骤:提供一载体,所述载体设有一收容槽,所述收容槽包括底面以及由所述底面边缘向上延伸的侧壁;在所述载体表面形成粘结层,将裸芯通过所述粘结层固定在所述收容槽的底面上;在所述收容槽内填充成型复合物,使所述裸芯被成型复合物包裹;将所述载体放置于成型模具内,使所述载体与成型模具配合合模成型,在所述收容槽内形成包裹所述裸芯的成型晶圆;脱模,并将所述成型晶圆与载体分离。本发明利用特殊的载体结构,使成型晶圆与粘结层接触的边缘不再过于尖锐,从而可避免在后续制程中出现颗粒污染物或裂纹等问题,有利于提高封装产品的良率。
Public/Granted literature
- CN107195553A 一种改善边缘形貌的成型方法 Public/Granted day:2017-09-22
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