Invention Grant
- Patent Title: 形成光电器件的光活性层的方法
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Application No.: CN201580075932.5Application Date: 2015-12-21
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Publication No.: CN107210367BPublication Date: 2020-01-21
- Inventor: T·W·琼斯 , G·J·威尔森 , K·F·安德森 , A·F·霍伦坎普 , N·W·杜飞 , N·J·菲莱特
- Applicant: 联邦科学和工业研究组织
- Applicant Address: 澳大利亚澳大利亚首都直辖区
- Assignee: 联邦科学和工业研究组织
- Current Assignee: 联邦科学和工业研究组织
- Current Assignee Address: 澳大利亚澳大利亚首都直辖区
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 谭冀
- Priority: 2014905161 2014.12.19 AU
- International Application: PCT/AU2015/050824 2015.12.21
- International Announcement: WO2016/094966 EN 2016.06.23
- Date entered country: 2017-08-11
- Main IPC: H01L51/42
- IPC: H01L51/42 ; H01L51/48

Abstract:
形成光电器件的薄膜光活性层的方法,其包括:提供衬底,该衬底具有包含或涂覆有金属M的表面,该金属M选自Pb、Sn、Ge、Si、Ti、Bi或In的至少一种;和将该衬底的金属表面或金属涂层转化为钙钛矿层。
Public/Granted literature
- CN107210367A 形成光电器件的光活性层的方法 Public/Granted day:2017-09-26
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IPC分类: