Invention Grant
CN107238616B 基于中子光栅干涉仪的暗场成像方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 基于中子光栅干涉仪的暗场成像方法
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Application No.: CN201710478971.0Application Date: 2017-06-22
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Publication No.: CN107238616BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 王志立 , 刘达林
- Applicant: 合肥工业大学
- Applicant Address: 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- Assignee: 合肥工业大学
- Current Assignee: 合肥工业大学
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- Agency: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- Agent 陆丽莉; 何梅生
- Main IPC: G01N23/202
- IPC: G01N23/202 ; G01N23/20008

Abstract:
本发明公开了一种基于中子光栅干涉仪的暗场成像方法,其特征包括:1移动光栅,将中子光栅干涉仪的工作点固定在光强曲线的峰位;2分别获取背景投影图像和被成像物体的投影图像;3移动光栅,将中子光栅干涉仪的工作点固定在光强曲线的谷位;4分别获取背景投影图像和被成像物体的投影图像;5提取被成像物体的暗场信号。本发明能够准确提取被成像物体的暗场信号,克服低光子计数时相位步进法不能准确提取暗场信号的局限性,从而为被成像物体的准确、定量表征提供新途径。
Public/Granted literature
- CN107238616A 基于中子光栅干涉仪的暗场成像方法 Public/Granted day:2017-10-10
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