Invention Grant
- Patent Title: 一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法
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Application No.: CN201710414718.9Application Date: 2017-06-05
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Publication No.: CN107326443BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 徐卓 , 赵烨 , 魏晓勇 , 王三红 , 庄永勇 , 李振荣
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 齐书田
- Main IPC: C30B33/04
- IPC: C30B33/04 ; C30B33/02 ; C30B29/22 ; G02F1/355

Abstract:
本发明公开了一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法,包括了退火和极化两个过程,弛豫铁电单晶包括二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系和三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3体系,其中退火过程是弛豫铁电单晶研磨抛光后在气氛中进行退火处理,去除机械加工所引起的应力,通过极缓慢降温将铁电相形成过程中产生的自发应变极大程度的释放,从而降低晶体单畴化过程中电致畴转导致开裂的可能性。另外,撤去电场后,剩余退极化场会诱导形成纳米畴结构。为了保证单畴结构的形成和稳定性,可以通过电极注入形成体屏蔽效应来补偿剩余退极化场,进而得到高度单畴化且性能稳定的弛豫铁电晶体,该材料将具有半波电压小,光损伤阈值高,电光系数大等特点,远优于BBO、KTP和LN等材料。
Public/Granted literature
- CN107326443A 一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法 Public/Granted day:2017-11-07
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