Invention Publication
CN107331630A 加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置
- Patent Title (English): Through silicon via daisy chain testing device for wide I/O memory
-
Application No.: CN201610277592.0Application Date: 2016-04-29
-
Publication No.: CN107331630APublication Date: 2017-11-07
- Inventor: 叶志晖
- Applicant: 力成科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
- Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 马雯雯; 臧建明
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66

Abstract:
本发明公开一种加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置,包含一测试头以及一转换接口。转换接口包含信号传输板与插座板。插座板具有多个第一数据接点、多个第二数据接点与多个驱动接点,还具有多个Y形连接第一数据接点与第二数据接点的分享线路,以信号传输板电性连接至测试头的对应输入输出接脚。待测硅穿孔装置包含多个信道,当该待测硅穿孔装置装载于插座板上,信道依序地以菊炼结构串联成组,菊炼结构的串联启始点包含第一数据接点、第二数据接点与驱动接点。因此,本发明利用加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置,可增加测试机台的待测组件数量。
Public/Granted literature
- CN107331630B 加宽输入输出内存的硅穿孔菊炼测试装置 Public/Granted day:2019-08-13
Information query
IPC分类: