本发明公开了一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料，涉及半导体材料干法刻蚀领域，包括以下步骤：S1、在InP‑外延片上通过PECVD设备，生长一层SiO2薄膜；S2、通过光刻工艺，将掩膜版上的待蚀刻图形复制在光刻胶上；S3、将光刻后的样品光刻胶上的图形转移到SiO2阻挡层上；S4、通过湿法去胶，将光刻胶去除干净；S5、将待刻蚀的样品用KOH溶液清洗2～3分钟，清洗后冲水并干燥处理；S6、将样品载入RIE工艺腔体中进行刻蚀。本发明使用RIE设备刻蚀InP材料的方法通过对干法刻蚀工艺的改进，解决了反应离子刻蚀设备刻蚀InP过程中产生的聚合物副产物污染样品的问题。