一种小间距PCB的沉镍钯金方法
Abstract:
本发明涉及沉镍钯金方法技术领域,具体涉及一种小间距PCB的沉镍钯金方法,包括以下步骤:酸洗、水洗、微蚀、水洗、预浸、活化、水洗、后浸、水洗、化学镍、水洗、化学钯、水洗、化学金、水洗;在活化过程中,活化温度为78±3℃,活化时间为800±10S;在化学镍过程中,化学镍缸温度为63±2℃,化学镍缸寿命≤2.5MTO;在化学钯过程中,化学钯缸温度为43±3℃,化学钯缸寿命≤3MTO。本发明的发明目的在于提供一种小间距PCB的沉镍钯金方法,采用本发明提供的技术方案解决了现有小间距PCB在正常沉镍钯金的过程中产生渗金、肥边等不良的技术问题。
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