Invention Publication
- Patent Title: 半导体结构及其制造方法
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
-
Application No.: CN201710610887.XApplication Date: 2017-07-25
-
Publication No.: CN107818962APublication Date: 2018-03-20
- Inventor: 郑锡圭 , 韩至刚 , 张兢夫 , 黄信杰
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 路勇
- Priority: 62/394,452 2016.09.14 US
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L23/488 ; H01L21/60

Abstract:
本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的,本发明实施例的一种半导体结构包含:衬底;裸片,其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料;模塑物,其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片;下部介电层,其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方;及上部介电层,其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方,其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率,且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。
Public/Granted literature
- CN107818962B 半导体结构及其制造方法 Public/Granted day:2021-04-13
Information query
IPC分类: