用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构

Invention Grant

CN107924943B 用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构有权

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Patent Title: 用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构
Application No.: CN201580080106.X

Application Date: 2015-06-17
Publication No.: CN107924943B

Publication Date: 2021-04-13
Inventor: R·米恩德鲁 , P·莫罗 , R·库马尔 , C·E·韦伯 , S·金 , S·M·塞亚 , T·加尼
Applicant: 英特尔公司
Applicant Address: 美国加利福尼亚
Assignee: 英特尔公司
Current Assignee: 英特尔公司
Current Assignee Address: 美国加利福尼亚
Agency: 永新专利商标代理有限公司
Agent 陈松涛; 王英
International Application: PCT/US2015/036286 2015.06.17
International Announcement: WO2016/204755 EN 2016.12.22
Date entered country: 2017-11-17
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/8238

Abstract:

描述了用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构。在示例中，一种反相器结构包括竖直地分开为上部区域和下部区域的半导体鳍状物。包括用于控制半导体鳍状物的上部区域的第一多个栅极结构。包括用于控制半导体鳍状物的下部区域的第二多个栅极结构。第二多个栅极结构具有与第一多个栅极结构的导电类型相反的导电类型。

Public/Granted literature

CN107924943A 用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构 Public/Granted day:2018-04-17

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的