Invention Grant
- Patent Title: 非磁性材料分散型Fe-Pt系溅射靶
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Application No.: CN201780003433.4Application Date: 2017-08-31
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Publication No.: CN108138313BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 佐藤敦 , 高见英生 , 中村祐一郎
- Applicant: JX金属株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: JX金属株式会社
- Current Assignee: JX金属株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京尚伦律师事务所
- Agent 聂宁乐
- Priority: 2016-172291 2016.09.02 JP
- International Application: PCT/JP2017/031469 2017.08.31
- International Announcement: WO2018/043680 JA 2018.03.08
- Date entered country: 2018-04-09
- Main IPC: C23C14/34
- IPC: C23C14/34 ; B22F1/00 ; C22C5/04 ; C22C28/00 ; C22C38/00 ; G11B5/64 ; G11B5/851 ; B22F3/14 ; B22F3/15

Abstract:
本发明提供一种能够降低用于使Fe‑Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶,该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶,具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1‑αPtα)1‑βGeβ(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相,在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中,该磁性相的Ge的浓度为30质量%以上的Ge基合金相的面积比率(SGe30质量%)的平均值,与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(SGe)之比(SGe30质量%/SGe)为0.5以下。
Public/Granted literature
- CN108138313A 非磁性材料分散型Fe-Pt系溅射靶 Public/Granted day:2018-06-08
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