Invention Grant
- Patent Title: 一种提高P波段雷达副瓣对消天线覆盖效果的方法
-
Application No.: CN201711102319.5Application Date: 2017-11-10
-
Publication No.: CN108288762BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 杨武韬 , 王晓平 , 高继军 , 杜鸣晓 , 孙斌 , 张小蔚 , 沈小川
- Applicant: 武汉滨湖电子有限责任公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市东湖高新技术开发区流芳大道51号
- Assignee: 武汉滨湖电子有限责任公司
- Current Assignee: 武汉滨湖电子有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市东湖高新技术开发区流芳大道51号
- Agency: 武汉帅丞知识产权代理有限公司
- Agent 朱必武; 李南平
- Main IPC: H01Q1/38
- IPC: H01Q1/38 ; H01Q1/50 ; H01Q9/28 ; H01Q21/00 ; H01Q21/06 ; H01Q21/29

Abstract:
本发明属于雷达副瓣对消天线领域,特别涉及一种提高P波段雷达副瓣对消天线覆盖效果的方法。本发明包括第一层环形支架、一号微带板、第二层环形支架、第三层环形支架、二号微带板、第四层环形支架、第五层环形支架、三号微带板、第六层环形支架、第七层环形支架、四号微带板、第八层环形支架、一分四相位加权功分网络、天线底座;微带板由通过一分八功分网络连接的8个微带偶极子天线集成在同一块基板上构成。本发明能解决现有副瓣对消天线存在俯仰面上覆盖效率不高、方位面幅度起伏过大、可移植性不强等问题。
Public/Granted literature
- CN108288762A 一种提高P波段雷达副瓣对消天线覆盖效果的方法 Public/Granted day:2018-07-17
Information query